シリコンカーバイド粉末

 

炭化ケイ素（英語：silicon carbide、carborundum）、化学式SiC、通称エメリー、宝石名ダイヤモンド、天然鉱物はモアッサナイト、ケイ素と炭素が結合して形成されたセラミックのような化合物、炭化ケイ素は自然界ではモアッサナイトとして発見されています。それは桑の実の形で存在し、希少鉱物です。炭化ケイ素は、現在広く使用されている第3世代の半導体材料です。天然の形成は非常にまれであり、現在は主に人工的に合成されています。炭化ケイ素高純度粉末は、PVT法を使用して炭化ケイ素単結晶を成長させるための原料です。2000度を超える高温で、炭素粉末とケイ素粉末は高温によって原子に分解され、温度制御によって炭化ケイ素種結晶上に堆積して炭化ケイ素結晶を形成します。

 

シリコンカーバイド 20#-90#

 

 

SiCはシリコン（Si）と炭素（C）からなるワイドバンドギャップ半導体です。エネルギーギャップは約3.26eVです。結合力が非常に強く、熱的、化学的、機械的に非常に安定しています。SiCには様々な多形（ポリモルフ）があり、物性値は異なります。シリコンカーバイドの詳しい性質について見ていきましょう。

 

 

焼結シリコンカーバイド

 

シリコンカーバイド（SiC）は、モル質量が40.097g·mol⁻¹、密度が3.16 g/cm3（六方晶シリコンカーバイド）、融点が2830度の、硬い濃い緑色の無臭の粉末です。

 

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