80%タングステンスパッタリングターゲット製造
スパッタリングターゲットの用途:
荷電粒子（アルゴンイオンなど）が固体表面に衝突し、その表面にある原子、分子、クラスターなどのさまざまな粒子が物体の表面から飛び出す現象を「スパッタリング」といいます。マグネトロンスパッタリングコーティングでは、通常、アルゴンガスのイオン化によって発生した正イオンを使用して固体（ターゲット）に衝突し、スパッタされた中性原子が基板（ワークピース）に堆積して膜層を形成します。マグネトロンスパッタリングコーティングには、「低温」と「高速」という2つの大きな特徴があります。
80% タングステン スパッタリング ターゲット
マグネトロンスパッタリング原理：
スパッタリングターゲット（カソード）とアノードの間に直交する磁場と電場を加え、高真空チャンバー内に必要な不活性ガス（通常はArガス）を充填します。永久磁石はターゲット材料の表面に対して250～350度の角度を形成します。ガウス磁場と高電圧電場は直交する電磁場を形成します。
電界の作用により、Arガスは正イオンと電子に電離します。ターゲットに一定の負の高電圧が印加されます。ターゲットから放出された電子は磁場の影響を受け、作動ガスの電離確率が増加します。カソードの近くに高密度プラズマが形成されます。Arイオンはローレンツ力の作用によりターゲット表面に向かって加速し、非常に高速でターゲット表面に衝突します。これにより、ターゲット上のスパッタ原子は運動量変換の原理に従います。高い運動エネルギーがターゲット表面を離れ、基板に飛んで膜を堆積します。
99.95%タングステンスパッタリングターゲット
マグネトロンスパッタリングは、一般的にDCスパッタリングと高周波スパッタリングの2種類に分けられます。DCスパッタリング装置の原理は簡単で、金属をスパッタリングする際の速度も速いです。高周波スパッタリングは、より広い用途があります。導電性材料のスパッタリングに加えて、非導電性材料のスパッタリングも可能です。また、反応性スパッタリングを行って、酸化物、窒化物、炭化物などの複合材料を調製することもできます。高周波の周波数を上げると、マイクロ波プラズマスパッタリングになります。現在、電子サイクロトロン共鳴（ECR）型マイクロ波プラズマスパッタリングが一般的に使用されています。
